法国AnnealsysMOCVD设备型号MC050实验室研发应用，MOCVD,RTP,RTCVD等多工艺性能,2英寸MOCVD设备。应用：在硅基片，玻璃，太阳能电池多晶硅，化合物半导体基片上长金属和合金，过渡金属元素氮化物，碳纳米管，纳米线等膜层适应基片类型•外延沉积用单水晶基片•硅基片•化合物半导体基片•用于太阳能电池的多晶硅基片•玻璃基片•等等设备优越性能•Compatibilitywithawiderangeofprecursors•兼容宽范围源=>HighversatilityforResearchandDevelopmentapplicati***=>多用途适用于研究和开发应用•Stateoftheartliquiddeliveryandvaporizationsystem•液体传送和蒸发系统技术水平=>Capabilitytovaporizeawiderangeofchemicalprecursors=>适用于蒸发宽范围化学源=>Capabilitytousethermallyunstableprecursors=>适用于使用热不稳定源•Processgasinletseparatedfromprecursorinlet•工艺气体进口与源进口隔离=>Noreactionoutsideofthesubstratedepositionarea,noclogging=>基片沉淀区域外无反应，无堵塞•Easydi***antling,cleaningandinstallationofthereactor•便于拆卸，清洗和安装反应器=>Easyswitchingfromonematerialtoanother=>便于一种金属到另一种金属的转换=>Easyservice=>便于维护=>LowCostofownership=>客户低消耗•Fullrisingcapabilityoftheliquidpanel•液体面板满提升性能=>Nocrosscontamination,noneedtodi***antleliquidlines=>无交叉污染，无需拆除液体管路设备主要特性•Horizontalquartztubewithstainlesssteelflanges•配有不锈钢法兰的水平石英管•Lampfurnaceforprocessupto1200℃•工艺灯炉，***高至1200℃•ThermocouplecontrolwithPIDtemperaturecontroller•热电偶的控制器通过温度控制器的PID实现•Upto6precursorsorprecursormixtures•***多6个源或源混合•Downstreampressurecontrol•下流压力控制•Purgegaslinewithneedlevalve•配有针阀的吹扫气路•Upto6processgaslineswithdigitalMFC•配有数字MFC，***多6条工艺气路•PCcontrolwithEthernetcommunication•以太网PC控制设备设计•Compatiblewithawiderangeofliquidvaporizers•适用宽范围的液体蒸发器•Upto6precursorliquidlines•***多6条源液体管路•Optimizedorganometallicchemicalliquidlinepanel•***优的有机金属化学液体管路面板•Manualorautomaticprocedureforchemicalcleaningofliquidlines•手动或自动程序化学清洁液体管路•Reactingcompoundsconnecti***onchamber(H2O,O3…)•腔室内反应复合物连接•GaspanelforCVDapplicati***•CVD应用气体面板)