法国AnnealsysMOCVD设备型号MC200200mmMOCVD研发设备。应用：在硅基片，玻璃，太阳能电池多晶硅，化合物半导体基片上长金属和合金，过渡金属元素氮化物，碳纳米管，纳米线等膜层设备优越的性能•兼容宽范围源=>多用途适用于研究和开发应用•液体传送和蒸发系统技术发展水平=>适用于蒸发宽范围化学源••无喷头=>可使用热不稳定源=>喷头内无堵塞风险，高沉淀均匀性•工艺气体进口与源进口隔离=>基片沉淀区域外无反应，无堵塞•便于拆卸，清洗和安装反应器=>便于一种金属到另一种金属的转换，便于维护，低COO•液体面板满提升性能=>无交叉污染，无需拆除液体管路设备特性•不锈钢热控制腔室技术*•旋转加热基片托，***高至850°C•基片托垂直运动•大气或进样室装载•***多4个源或源混合•蒸发器反应器支路•热电偶的控制器通过温度控制器的PID实现•真空和压力控制•配有针阀的吹扫气路•配有数字MFC，***多6条工艺气路•以太网PC控制)