LNK605DGLNK605DG中文资料LNK605DG产品简介：•元件数量少、印刷电路板占用面积小的低成本解决方案o采用频率抖动技术，可使用更小的低成本的EMI波元件o初级侧控制可省去次级侧控制和光耦，达到+/-5%CV和+/-10%CC的精度•集成的保护及可靠性能o输出开路/输出短路保护，带自动***功能o过热保护功能—严格的容差范围(+/-5%)加上迟滞***，可确保PCB温度在所有条件下均处于安全范围内o封装引脚的布局延长了爬电距离，确保在潮湿环境中可靠运行—封装本体处仍大于3.2mm•设计符合oEN55015B传导EMI限制，EMI裕量大于10dBµVoIEC61000-4-53级AC输入浪涌oIEC61000-4-2ESD，4kV接触/8kV空气o超低交流漏电流：在265VAC输入情况下小于5µA（无需Y电容）•Eco***artTMo空载功耗：在265VAC时小于50mWo效率：在115VAC和230VAC下均不低于75%LNK605DG器件(U1)集成了功率开关器件、振荡器、CC/CV控制引擎、启动以及保护功能。集成的700V功率MOSFET可在通用输入AC应用中提供充足的电压裕量。该器件在启动期间通过退耦电容***从旁路引脚获得供电。经整流和滤波的输入电压加在T1初级绕组的一端。U1中集成的700V功率MOSFET驱动变压器初级绕组的另一侧。D1、R3、R4和C3组成RCD-R箝位电路，对漏感引起的漏极电压尖峰进行限制。二极管D2、C5和R10产生初级偏置电源。此电压从变压器偏置绕组产生，通过D2和R10向旁路引脚供应偏置电流。LNK605DG的偏置供电是可选的。如果电路结构为使用偏置电源供电（与此设计相同），空载功耗将降低到50mW以下。LNK605DG集成控制器以及700V功率MOSFET构成，用于LED驱动器或充电器应用。LinkSwitch-II配置为应用于单级非连续导通模式反激式拓扑结构，提供初级侧调节的恒压和恒流输出。输出整流变压器的次级绕组由D3进行整流；选择肖特基势垒二极管以提***率，并由C7进行滤波。在此应用中，C7使用的是陶瓷电容，由于其工作环境温度较高，因此工作寿命比电解电容更长。电阻R1和C6用来衰减高频振铃，降低二极管电压应力。有关LNK605DG代理、LNK605DG中文资料、LNK605DG应用电路、LNK605DG引脚功能、LNK605DG原理图、LNK605DG型号封装、LNK605DGPDF、LNK605DG价格、LNK605DG厂家图片、LNK605DG现货供应信息，欢迎来电咨询!主营：POWER,ATMEL,STC,TI,AD,MICROCHIP等品牌代理，现货供应，欢迎订购！深圳市南北行科技发展有限公司联系人：徐小姐直线：13316887805商务：2501633055)