温补压控晶振10MHz TCVCXO 1PPM
温补压控晶振10MHzTCVCXO1PPM温补压控晶体振荡器规格书输出频率输出参数波形标准占空比出厂校准频率稳定度年老化温度特性电压特性负载特性压控牵引范围控制电压范围其他工作电压工作电流存储温度封装尺寸≤&plu***n;1.0≤&plu***n;1.0≤&plu***n;0.1≤&plu***n;0.1方波HCMOS45~55≤&plu***n;1.0值TCVCXO版本:A2010-03-2810.000MHz单位------%ppmVC=1.5&plu***n;0.1V负载:15pF测试条件VH≥2.8V,VL≤0.4Vppmppmppmppm第1年-40~85℃@25℃Vs&plu***n;5%Load&plu***n;10%≥&plu***n;50~3ppmVDC斜率:正中心电压:1.5&plu***n;0.1V3.3&plu***n;5%≤3-50~+905*7*2.2Max.VDCmA℃mm@25℃,稳态时1.VoltageControl2.GND3.Output温补压控晶振10MHzTCVCXO1PPM)
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