AM27C512-150DC512千比特（64K个×8位）的CMOS的EPROMAM27C512-150DC突出特点快速访问时间-55ns的快速速度选项n低功耗-20μA（典型值）CMOS待机电流的JEDEC批准的引出线n单+5V电源&plu***n;10％电源公差标准100％Flashrite™；编程-典型编程时间为8秒闭锁保护，从1V至100mAVCC+1个V高抗扰度简单的接口多功能功能-CMOS和TTL输入/输出的兼容性-两线控制功能n标准的28引脚DIP，PDIP封装，32引脚PLCC封装AM27C512-150DC一般说明Am27C512是512-Kbit的，紫外线可擦除可编程只读存储器。它是为64K举办每个字由8位的话，经营从单一+5V供应，有一个静态的待机模式，并具有快速单地址位置编程。产品有在窗口的陶瓷DIP封装，以及塑料一次性可编程（OTP），PDIP和PLCC封装。通常的数据可以在小于55ns的存取，允许高性能微处理器操作没有任何等待状态。该设备提供***的输出启用（OE＃）和芯片使能（CE＃）控制，从而消除了在一个多总线微处理器总线争系统。AMD的CMOS工艺技术，提供高高速，低功耗，高抗干扰性。典型在主动模式下功耗只有80毫瓦，100μW，在待机模式。所有的信号是TTL电平，包括节目信号。位的位置，可单独编程，在块，或随意。该设备支持AMD的flashrite规划算法（100微秒脉冲），导致在典型的编程时间为8秒。)