ENX2020雪崩耐量测试系统系统概述：半导体分立器件作为在电力电子行业中应用***为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是***负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。该测试系统主要用于IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流200A，电压4500V，雪崩能量可达2000J。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理后，将测试数据以EXCEL表格形式显示并进行***终的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求，并预留电压电流扩展功能。系统模块：主控单元、电源模块、高压输出模块、电流输出模块、数据采集模块、驱动电路、保护电路系统特征：雪崩能量/电流超限提示、设备配有应急装置、可设置保护电压、可连接handler测试结果保存为Excel、测试波形采集及显示、规格/环境要求：尺寸：800x800x1800(mm)质量：210kg环境湿度：15~40℃工作电压：AC220V&plu***n;10%无严重谐波电网频率：50Hz&plu***n;1Hz大气压力：86Kpa~106Kpa通信接口：USBRS232系统功耗：320W功能指标：配置测试范围测试参数条件范围电压1000VIGBTs绝缘栅双极型晶体管EAS/单脉冲雪崩能量VCE20V～4500V20~100V&plu***n;3%&plu***n;1V100~1000V&plu***n;3%&plu***n;5V1000V~4500V&plu***n;3%&plu***n;10V电流200AMOSFETsMOS场效应管EAR/重复脉冲雪崩能量Ic1mA～200A1mA～100mA&plu***n;3%&plu***n;0.1mA100mA～2A&plu***n;3%&plu***n;5mA2A～200A&plu***n;3%&plu***n;50mADIODEs二极管IAS/单脉冲雪崩电流Ea1J～2000J1J～100J&plu***n;3%&plu***n;1J100J～500J&plu***n;3%&plu***n;5J500J～2000J&plu***n;3%&plu***n;10JPAS/单脉冲雪崩功率IC检测50mV/A（取决于传感器）***负载10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、重复间隙时间1~60s可调（步进1s）重复次数：1~50次)