光刻胶的应用光刻胶的应用1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯***制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯***中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。光刻的工序下面我们来详细介绍一下光刻的工序：一、清洗硅片（WaferClean）清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少***和其它缺陷，提高光刻胶黏附性基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例GoldfingerMach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304DSS清洗系统）、日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF/O3为基础的硅片化学清洗技术。市场上，光刻胶产品依据不同标准，可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相同；使用负性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相反。按照感光树脂的化学结构分类，光刻胶半导体，光刻胶可以分为①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，***后生成聚合物，具有形成正像的特点；②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，光刻胶，其经光照后，发生光分解反应，光刻胶正胶，可以制成正性胶；③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。按照***波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，光刻胶去胶，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同***波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。光刻胶半导体-光刻胶-赛米莱德由北京赛米莱德贸易有限公司提供。北京赛米莱德贸易有限公司（）实力雄厚，信誉可靠，在北京大兴区的工业制品等行业积累了大批忠诚的客户。公司精益求精的工作态度和不断的完善创新理念将***赛米莱德和您携手步入辉煌，共创美好未来！)