低成本4英寸、6英寸RTP快速热处理设备应用：RTA（快速热退火）RTO（快速热氧化）扩散化合物半导体退火渗氮，渗硅结晶化与致密化特点：适用于4英寸和6英寸晶圆高可靠性和低拥有成本。不锈钢冷壁腔体技术；高工艺重复性超清洁无污染环境、高冷却速率低记忆效果。可实现高达10-6mbar的高真空环境。高温计和热电偶控制高速数字PID温度控制器边缘高温计视点保障了化合物半导体和小样本的基座的加强温度控制。使用特点：温度范围：RTto1250°C斜坡速率：***高200°C/s气体混合功能：使用质量流量控制器控制。真空范围：大气压～10-6Torr)