凯硕恒盛(多图)-新韩半导体减薄机
影响诚薄机诚薄硅片平整度的因素有哪些?在经过减薄加工的硅片厚度公差和平整度是与行星齿轮片的平整性有着必然联系的。因为行星齿轮片采用的是球墨铸铁加工制成的,相对行星齿轮片的平整度要求是比较高的,如果行星齿轮本身不够平整的话,减薄出来的硅片它的平整性就会随之受到影响而变差,同时厚度公差也会增大;还有就是在研磨时一定要确保磨料的流量不变,尤其是减薄前硅片本身的厚度要足够均匀才可以,如果硅片在高温扩散后出现变形,导致其弯曲,而弯曲程度相对较大时,那么在减薄的过程中是极易破损的,或者出现较大的厚度误差。因此,减少扩散工艺引起硅片变形是提高硅片平整度和减少厚度公差的一个十分重要的因素。想要了解更多,赶快拨打图片上电话吧!!!立式减薄机IVG-200S设备概述:名称:立式减薄机型号:IVG-200S该设备采用立式主轴结构,新韩半导体减薄机,工作时磨盘与工件盘同时旋转,磨盘的进给采用微米步进电机进给系统,磨盘采用杯式金刚石磨盘,不但加工精度高,而且加工效率很高,为普通研磨效率的10倍以上。该系列设备广泛应用各类半导体晶片、压电晶体、光学玻璃、陶瓷、蓝宝石衬底、FDD表面、电子过滤器、碳化硅等材料的超精密平面加工。减薄机设备原理减薄机设备原理1.本系列横向减薄研磨机为全自动精密磨削设备,由真空吸盘或者电磁吸盘吸附工件与磨轮作相反方向旋转运动,磨轮前后摆动。该方法磨削阻力小、工件不会破损,而且磨削均匀生产效率高;2.设备可自动对刀、实际检测磨削扭力、自动调节工件磨削速度,从而防止工件磨削过程中因压力过大产生变形及破损,自动补偿砂轮磨损厚度尺寸。高精密横向减薄设备特点:1.可使直径150晶片厚度减薄到0.08mm厚而不会破碎。而且平行度与平面度可控制在±0.002mm范围内;2.减薄效率高,LED蓝宝石衬底每分钟磨削速度较高可减薄48微米。硅片每分钟磨削速度较高可减薄250微米;3.系列研磨机采用CNC程控系统,触摸屏操作面板。凯硕恒盛(多图)-新韩半导体减薄机由北京凯硕恒盛科技有限公司提供。凯硕恒盛(多图)-新韩半导体减薄机是北京凯硕恒盛科技有限公司()今年全新升级推出的,以上图片仅供参考,请您拨打本页面或图片上的联系电话,索取联系人:王工。)
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