1，物理性质：原子量：69.723熔点：29.78℃沸点：2403℃密度：5.907g/cm3(20℃)莫比硬度：1.5kg/mm2超临界温度：1.087K固态略带兰色，质软，液态银白色。2，规格：化学纯度：高纯***：Ga-05纯度99.999%以上，银，铝，钙，铬，铜，铁，***，铟，镁，锰，镍，铅，锑，锡，锌杂质总含量小于10ppm；超纯***：Ga-06纯度99.9999%以上，铬，铜，铁，镁，锰，镍，铅，锑，锡，锌杂质总含量小于1ppm；超高纯***：Ga-06纯度99.99999%以上，铜，铁，镁，锰，镍，铅，锑，锡，锌杂质总含量小于0.1ppm。3，物理性状：固体。4，用途：主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，为GaAs,GaP,GaAsP,GaAlAs,GaAlP高纯合金，晶体管合金，超低温合金，原子反应堆中之热载体以及锗，硅单晶的掺杂剂。5，包装：聚乙烯瓶封装，塑料薄膜外封。)