高纯度GaN粉末有4N99.99%和7N99.99999%两个规格，粒径5~15um.氮化***是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列，是研制***率、高功率微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。作为第三代半导体材料之一，氮化***的研究与应用是目前***半导体研究的前沿和热点。氮化***所具有的直接带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好、抗辐射能力强等特点和性能，使得它在我们日常生活中的照明（节能灯）、显示（LED显示器）、通信（微波***）、消费电子（蓝光光驱的光头）等各个领域都有广泛应用。)