冠测精电(多图)-变频介质损耗测试仪技术参数
近十年来,半导体工业界对低介电常数材料的研究日益增多,材料的种类也五花八门。然而这些低介电常数材料能够在集成电路生产工艺中应用的速度却远没有人们想象的那么快。其主要低介电常数薄膜机械性质量测结果原因是许多低介电常数材料并不能满足集成电路工艺应用的要求。图2是不同时期半导体工业界预计低介电常数材料在集成电路工艺中应用的前景预测。【北京冠测精电仪器设备有限公司】专注于材料电学性能检测仪器研发10年,为客户提供一站式电学性能检测方案:介电强度测试仪、导体﹨半导体﹨粉体﹨绝缘体电阻率测试仪、介电常数测试仪、耐电弧试验仪、高压漏电起痕试验仪、电线电缆漏电起痕试验仪、阻温函数仪、介电温谱测量系统等★★★一样的产品※※不一样的质量※※大厂家※※知名品牌★★★中英文可选操作界面■可通过USBHOST自动升级仪器工作程序四、简要介绍测试材料:无源元件:电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阻抗参数评估和性能分析。半导体元件:变容二极管的C-VDC特性;晶体管或集成电路的寄生参数分析其它元件:印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估介质材料:塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估LKI--1电感组LKI—1型电感组共包括不同电感量的电感9个,凡高频Q表在进行测试线圈的分布电容量,电容器的电容量,高频介质损耗,高频电阻和传输线特性阻抗等高频电路和元件的电性能时,变频介质损耗测试仪价格,必须用电感组作辅助工具。本电感组有较高Q值,能使高频Q表测量时得到尖锐谐振点,因而增加其测量的准确度,各电感的有关数据如下表:电感NO电感量准确度Q值≥分布电容约略值925mH±57011pF85mH±510011pF71mH±510014pF6250μH±515012pF550μH±515012pF410μH±51307pF32.5μH±51507pF20.5μH±0.05μH20-5pF10.1μH±0.05μH1005pF北京冠测精电仪器设备有限公司冠测精电(多图)-变频介质损耗测试仪技术参数由北京冠测精电仪器设备有限公司提供。北京冠测精电仪器设备有限公司()实力雄厚,信誉可靠,在上海徐汇区的试验机等行业积累了大批忠诚的客户。公司精益求精的工作态度和不断的完善创新理念将***冠测精电和您携手步入辉煌,共创美好未来!)