品牌华晶型号4N60种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式耗尽型用途HA/行输出级封装外形WAFER/裸芯片材料N-FET硅N沟道开启电压600（V）夹断电压20（V）跨导1（μS）极间电容1（pF）低频噪声系数1（dB）***大漏极电流4000（mA）***大耗散功率30（mW）该芯片在采用适当的封装工艺以后，可以形成多种封装形式的VDMOS场效应晶体管，主要用于充电器、适配器的功率开关电路。)