是否提供加工定制否品牌华晶型号3DD5011AH应用范围功率材料硅(Si)极性NPN型击穿电压VCBO900（V）集电极***大允许电流ICM10（A）集电极***大耗散功率PCM3.5（W）截止频率fT55（MHz）结构平面型封装形式直插型封装材料树脂封装1产品概述：3DD5011AH是硅NPN型高反压大功率晶体管，该产品采用平面工艺，分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。产品封装形式：TO-3P(H)IS，符合RoHS指令要求。2产品特点：●特征频率高，●开关速度快。●电流特性好。●饱和压降低。●适用于宽电源电压。3主要用途：主要用于14、21英寸彩电电源电路。其他型号：3DD5011A9,3DD5017,3DD2102,3DD502)