是否提供加工定制否品牌华晶型号3DD13003H1D应用范围开关材料硅(Si)极性NPN型击穿电压VCBO600（V）集电极***大允许电流ICM1.8A（A）集电极***大耗散功率PCM0.8（W）截止频率fT/（MHz）结构平面型封装形式直插型封装材料树脂封装1产品概述：特征参数VCEO=400VIC=1.8APtot（Ta=25℃）=0.8W3DD13003H1D是硅NPN型功率开关晶体管，推荐功率15-18W，该产品采用平面工艺，分压环终端结构和少子寿命控制技术，集成了有源抗饱和网络，提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。产品封装形式：TO-92，符合RoHS指令要求。2产品特点：●开关损耗低●反向漏电流小●高温特性好●合适的开关速度●可靠性高3主要用途：主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器及手机充电器等功率开关电路，是该类电子产品的核心部件。)