型号：S29GL256P10TFI010品牌：Spansion（飞索半导体）类别：ParallelNORFlash容量：256Mbit设备说明：3.0V，页面模式闪存，采用90nmMirrorBit.工艺技术制造速度：100ns封装类型：56针薄小外形封装(TSOP)标准针脚引出线(TSO56)封装材料：Pbfree温度范围：工业（-40℃到+85°C）VIO范围：VIO=VCC=2.7到3.6V，***高地址扇区受保护包装类型：标准料盘------------------------------------------------------------------------------------------------S29GL-PMirrorBit系列闪存概述SpansionS29GL01G/512/256/128P是采用90nm工艺技术制造的Mirrorbit.闪存产品。这些设备提供25ns的快速页面读取时间，相应的随机读取时间可达90ns。它们配备写入缓冲器，在一个操作中***多可编程32字/64字节，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。因此，对于当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用程序来说，这些设备是理想的选择。独有特性■单个3V读取/编程/擦除(2.7-3.6V)■增强的VersatileI/O.控制–所有输入电平（寻址、控制和DQ输入电平）和输出均由VIO输入的电压决定。VIO的范围是1.65到VCC■90nmMirrorBit工艺技术■8字/16字节页面读取缓冲器■32字/64字节写入缓冲器可缩短多字更新的总体编程时间■安全硅扇区区域–128字/256字节扇区，通过8字/16字节随机电子序列号提供***安全的标识–可在工厂或者由用户进行编程和锁定■统一的64千字/128千字节扇区架构–S29GL01GP：1024个扇区–S29GL512P：512个扇区–S29GL256P：256个扇区–S29GL128P：128个扇区■通常情况下每个扇区可擦除100,000次■通常情况下20年数据保持能力■提供的封装–56针TSOP–64球加固BGA■编程和擦除操作的挂起和***命令■写入操作状态位指明编程和擦除操作是否完成■***省略编程命令可缩短编程时间■支持CFI（CommonFlashInterface，通用闪存接口）■***扇区保护的持久和密码方法■WP#/ACC输入–加快编程速度（当应用了VHH时），在系统生产期间提高生产量–保护***个或***后一个扇区，忽略扇区保护设置■硬件复位输入(RESET#)复位设备■就绪/忙碌#输出(RY/BY#)检测编程或擦除循环是否完成)