硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差&plu***n;0.5µm、&plu***n;1.0µm、&plu***n;1.5µm表面粗糙度PrimeGradewaferRa<5Å.掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉&plu***n;0.5°;〈110〉&plu***n;0.5°;〈111〉&plu***n;0.5°，〈100〉&plu***n;1°，〈110〉&plu***n;1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至20000(Ω·cm)级别MechanicalGrade、TestGrade、PrimeGrade、SEMIPrimeGrade产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Poroussiliconwafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undopedsiliconwafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，SiliconNitrideWaferLPCVDPECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，FloatZoneSiliconWafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片ThermalOxideWafer76.2mm25片超平硅片Ultra-FlatorMEMSwafers6″5片太阳能硅晶片，SolarSiliconCells6″，5″25片外延硅片，EpitaxialSiliconWafer100mm10片N型硅晶圆片，N-TypeSiliconSubstrates100mm100片各种硅晶片我们致力于为客户提供***的硅片（SiliconWafer）解决方案，从测试级硅片（TestWafer）到产品级硅片（PrimeWafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOIWafer、MEMSGlass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接***性***实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在***IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要***小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供***式超薄超平硅片，厚度从5µm到100µm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2nm)，超低值TTV通常小于+/-1µm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。)