台湾新唐NA***00KE3BN/NA***00SE3BN,128K flash+1uA待机功耗
关键特性:•内核(Core)-ARM®Cortex™-M0-工作频率可达42MHz-工作电压:1.8Vto3.6V-工作温度:-40℃~85℃•超低功耗(Ultra-Lowpowerc***umption)-200uA/MHz(Normal)-75uA/MHz(Idle)-2.5uA(Powerdown,RTCon,RAMretention)-1uA(Powerdown,RAMretention)-Fastwake-up:lessthan7us•内存(Memory)-64KB应用程序-内嵌16KBSRAM-可编程DataFlash-支持在线电路更新ICP(In-CircuitProgramming)-支持在线系统更新ISP(In-SystemProgramming)•模数转换器(ADC)-提供12通道-12位分辨率-可达2MSPS(每秒取样速率)-&plu***n;1℃准确度温感计•数模转换器(DAC)-提供2个DAC-12位分辨率-可达400KSPS(每秒转换速率)•脉宽调制器(PWM)-内建2个16位PWM产生器,可输出4路PWM或2组互补配对PWM-***ADC功能•通讯接口(Connectivity)-三组SPI(可达32MHz)-二组I²C(可达1MHz)-五组UART(二组可达1Mbps)-三组ISO-7816-3界面-16/8位EBI界面•时钟控制(Clockcontrol)-外部晶振4to24MHz-内部12MHz振荡器(1%精准度)-内部10kHz振荡器用于低功耗操作)
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