产品介绍：◇用途：适用于电力半导体器件及电真空器件。用作可控硅元件中单晶硅片的支撑基板。◇特点：钼圆片表面光亮，粗糙度可达Ra1.60，热导电性能好，热膨胀系数小，且耐高温，抗压强度优于现行同类产品◇规格：（Φ5.0-150.0）×（0.2-6.0）mm符合国标GB/T14592-93◇参数：比重：10.2g/cm3电阻率：不大于6.26×10-6Ω.cm◇热膨胀系数：4.0×10-6μm/(m.k)-6.4×10-6μm/(m.k)(在373.15k-973.15k)◇如果您有特殊要求，可协商解决。联系电话：15319194646姜女士***：1660725181)