品牌NCE型号NCE7580种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途V-FET/V型槽MOS封装外形P-DIT/塑料双列直插材料N-FET硅N沟道开启电压2-4（V）夹断电压84（V）跨导60000000（μS）极间电容3100（pF）***大漏极电流80000（mA）***大耗散功率170000（mW）产品特征：低导通电阻，低栅极电荷。高散热能力，高结温下，大电流持续导通能力。高Eas能力。(100%UIS测试）电参数高度一致性和重复性。特殊制程，***静电电能力（ESD)产品应用：主要用于开关电源，电动车控制器，UPS电源，充电器，工控电源，太阳能电源，机箱电源，逆变器，电力电源，照明电源，定制电源,电焊机，机电设备等。Vds=75V；Id=80A@Vgs=10V；***(ON)<8mΩ@Vgs=10V注：@在…的条件下封装：TO-220)