MD-PS001压力传感器采用硅微机械加工技术制造。采用各向异性腐蚀技术和硅硅直接键合技术在硅片内部形成一个长期稳定的真空基准压力参考腔，在表面硅膜上用集成技术制作成惠斯顿应变全桥，采用国际******的MEMS技术生产的1×1mm的硅压阻传感器芯片，从而在受力时输出与压力成线性关系的电压信号。应用领域：汽车：TPMS，胎压，诊断仪，气泵，蒸汽和悬置机构控制，绝压传感器。工业：空气压力控制，电缆泄漏检测，便携式压力计，压力开关和控制器。消费品：手持胎压计，高度计和气压测定仪。医疗：***监控和诊断设备，***。科研：空气动力学用微型绝压传感器及通用绝压传感器特征：固态元件，三维集成MEMS工艺制造，可靠性高。无应力设计与制造，严格自补偿浓度控制，稳定性好。标准压力范围：0～100kpa,0～200kpa,0～700kpa，0～1700kpa，0～3400kpa。微型尺寸1mm×1mm×0.5mm压阻传感技术，硅／硅键合芯片，稳定性好。使用方便，适合于任何陶瓷、PCD板、TO－8、塑胶微电子封装。所有晶片都是以保护性的塑料容器运输。晶片被粘在塑料盘上，所有晶片被电子探头和视觉检查。技术参数：***小值典型值***大值单位备注压力特性压力量程100KPa200KPa350KPa700KPa1700KPa3500KPa15PSI30PSI50PSI100PSI250PSI500PSI***大压力2倍***压力4倍电气性能激励电压35.012V激励电流13mA输入阻抗456KΩ输出阻抗456KΩ输出范围（FS范围）150KPa6080100mV700KPa70100150mV1700KPa80120180mV零位输出-2525mV性能指标满度温度系数-0.24-0.19-0.15%FS/℃恒压供电零位温度系数-0.070.07%FS/℃电阻温度系数0.240.270.33%/℃线性度-0.250.15+0.25%FS迟滞和重复性&plu***n;0.10%FSO长期稳定性&plu***n;0.20%FSO工作温度-40+125℃存储温度-55+150℃兼容介质洁净、干燥、无腐蚀性气体1、所有测试值相对22℃1mA恒流供电2、在0-70℃，温度系数为典型值。)