MD-T 中高温压力传感器
普通的压阻式压力传感器其敏感控测惠斯顿电桥的四个力敏点阻是用集成电路工艺制造的,电阻间用PN结相互隔离。由于受到PN结耐温限制,***高使用温度仅125°C,而实际上由于PN结反向漏电流随温度的指数上升关系,在温度超过100°C后,传感器性能已大大劣化,这限制了普通压阻传感器的可用温度范围。利用厚薄膜技术制作力敏电阻,可将使用温度扩展至125°C;利用多晶硅SOI技术制作力敏电阻,可将使用温度扩展至150°C;利用传统SOS技术和***的SOI技术可将使用温度扩展至180°C—350°C;利用***新的β相高温力敏材料碳化硅与SOI技术的结合,可将使用温度扩展至450°C—850°C,本系列产品是利用德国HELM公司的***传感器,配合高精度电子元件,经严格的工艺过程装配而成。产品特点全不锈钢外壳,***的抗腐蚀性能压力测量范围宽温度测量范围宽,温度误差***可靠性高,双膜片结构外形尺寸小,重量轻,类型齐全反相极性过压过流保护严格的抗震动测试,完全满足空压机、发动机、柴油机的震动要求。***的抗干扰设计以保证在复杂电磁环境下的正常工作。连续抗过载、抗冲击能力测试,适应压力冲击下的正常工作。优选传感器芯体,满足长期稳定性的要求。产品用途工业过程控制化工、水利、热能工程、石油勘探、航空航天、国防科研性能参数测量范围0~10KPa...100MPa过载能力2倍满量程压力(其中100MPa的产品过压为1.1倍满量程压力)压力类型表压或绝压或密封参考压力测量介质与316不锈钢兼容的气体或液体综合精度&plu***n;0.25%FS&plu***n;0.5%FS&plu***n;1%FS使用温区-40°C~+150°C-40°C~+200°C-55°C~+250°C-25°C~+350°C补偿温区-20°C~+130°C-20°C~+180°C-20°C~+200°C0°C~+250°C长期稳定性典型:&plu***n;0.1%FS/年***大:&plu***n;0.2%FS/年零点温度漂移典型:&plu***n;0.02%FS/℃***大:&plu***n;0.05%FS/℃灵敏度温度漂移典型:&plu***n;0.02%FS/℃***大:&plu***n;0.05%FS/℃供电范围12~36VDC(一般24VDC)信号输出4~20mA/1~5VDC/0~5VDC负载电阻≤(U-10)/0.02Ω响应时间≤3ms电气连接插头电缆4-20mADC1-5V//0~5V/0.5-4.5VDC1红色电源正:+V电源正:+V2蓝色信号输出/电源负:OUT/-V信号输出正:+OUT3白色空置公共端/电源负:GND/-V4(⊥)***干扰大时可靠接地干扰大时可靠接地)