北京特博万德科技有限公司供应2”~6”半绝缘***化***及Ｎ型和Ｐ型***化***。出口品质，价格优势项目单位参数产品类型***Semi-conducting生长方法***VGF掺杂剂***Si导电类型***N直径mm50.7&plu***n;0.1晶向***(100)20&plu***n;0.50offtoward(011)主***边取向***EJ[0`1`1]&plu***n;0.50副***边取向***EJ[0`11]&plu***n;0.50主***边长度mm16&plu***n;1副***边长度mm7&plu***n;1载流子浓度/cm3(0.4-4)×1018电阻率(0.8-9)×10-3迁移率cm2/v.s2000-3000位错密度/cm2≤500厚度µm350&plu***n;10TTVµm≤10TIRµm≤10Bowµm≤10Warpµm≤10倒边mmR0.25颗粒度***＜50/wafer(forparticle>0.3um)激光标识***N/A抛光要求***P/E包装要求***Epi-Ready，25片包装包装标识***SCEJ)