TK12A60U
TK12A60U晶体管/功率MOSFET/Nch500V<VDSS≦700V属性值条件部件型号TK12A60U极性N沟漏源电压VDSS600V漏电流ID12A漏功耗PD35W门电荷总数Qg(nC)(标准)14漏源导通电阻RDS(ON)(***大)@VGS=10V0.4Ω封装TO-220SIS管脚数3表面安装型N产品分类功率MOSFET(N沟500V<VDSS≦700V)装配基础Malaysia,JapanRoHSCompatibleProduct(s)(#)***ailable)
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