供应仙童FDT86113LZ全新现货图片：特点***大***（ON）=100米，在VGS=10V，ID=3.3***大***（ON）=145米，在VGS=4.5V，编号=2.7A高性能沟槽技术非常低的***（ON）一种广泛使用的高功率和电流处理能力表面贴装封装HBMESD保护水平>3KV典型（注4）100％UIL的测试符合RoHS标准概述这N沟道逻辑电平MOSFET生产使用飞兆半导体鈥荣***的功率沟槽庐过程已特别定制，以尽量减少通态电阻同时保持出色的开关性能。G-小号齐纳已被添加到提高ESD电压水平。应用直流-直流开关)