供应仙童FDMA0104全新现货特点􀂄最大RDS（ON）=14.5MΩ在VGS=4.5V，编号=9.4􀂄最大RDS（ON）=18.2MΩ在VGS=2.5V，编号=8.3􀂄最大RDS（ON）=23.3MΩ在VGS=1.8V，ID=7.3􀂄最大RDS（ON）=32.3MΩ在VGS=1.5V，编号=6.2􀂄超薄0.8毫米的最大的新封装的MicroFET的2x2毫米􀂄符合RoHS规范图片：概述这种单一的N沟道MOSFET的设计采用了飞兆半导体先进的功率沟槽®过程优化特殊的MicroFET的RDS（ON）@VGS=1.5V引线框架。应用􀂄锂离子电池􀂄的DC-DC降压转换器)