供应仙童FDMS3615S全新现货特点问题1：N沟道􀂄最大RDS（ON）=5.8MΩ在VGS=10V，ID=16􀂄最大RDS（ON）=8.3MΩ在VGS=4.5V，ID=13问题2：N沟道􀂄最大RDS（ON）=3.4MΩ在VGS=10V，ID=18􀂄最大RDS（ON）=4.6MΩ在VGS=4.5V，编号=15A􀂄低电感封装缩短上升/下降时间，更低的开关损耗􀂄MOSFET的集成，使最佳的布局，降低线路电感和减少开关节点的振铃􀂄符合RoHS规范图片：概述该器件包括两个专门在双PQFN封装的N沟道MOSFET。开关节点已在内部连接，方便放置和同步降压转换器的路由。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET（第二季）已设计提供最佳的电源效率。应用􀂄计算􀂄通讯􀂄通用负载点􀂄笔记本的VCORE)