供应仙童FDS86252全新现货特点􀂄***大***（ON）=55MΩ在VGS=10V，ID=4.5􀂄***大***（ON）=80MΩ在VGS=3.6V，ID=3.7􀂄高性能沟槽技术非常低的***（ON）􀂄高功率和电流处理能力，一种广泛使用的表面贴装封装􀂄100％UIL的测试􀂄符合RoHS规范图片：概述N沟道MOSFET采用飞兆半导体的***功率沟槽®过程中，已特别针对减少的通态电阻和尚未maintaiin出色的开关性能。应用􀂄DC-DC转换)