供应仙童FDP085N10A_F102全新现货特点•***（ON）=7.35mΩ（典型值）@VGS=10V，ID=96A•快速开关速度•低门电荷•极低的高性能沟槽技术***（上）•高功率和电流处理能力•符合RoHS标准图片：概述这N沟道MOSFET采用飞兆半导体安森美半导体***的PowerTrench进程，已特别定制，以尽量减少通态电阻，但保持出色的开关性能。应用•直流到直流转换器•同步整流电信电源•电池充电器•交流电机驱动器和不间断电源•非在线式UPS)