NCE7580是一款采用***结形工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,旨在有更好的特性,如快速开关时间,低门充电,低状态电阻。该MOSFET有着广泛的应用，可完全代替IRF2807,STP75NF75,SSF7509,NE***145,AOS428。特点VDS=75V；ID=80A@VGS=10V；高散热能力；高洁温下，大电流持续导通能力;低导通电阻，低栅极电荷;电参数高度一致性和重复性拥有高ESD能力;高EAS能力;)