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高纯铟
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In-6N(In>99.999%)In-7N(In>99.9999%)主要用途:用于制作半导体化合物、高纯合金及半导体材料的掺杂剂等。性状:银白色金属,质软、可塑性、延展性好。密度7.31g/cm3,熔点156.2℃。竭诚欢迎各界人士前来洽谈业务。(详细信息登入我司主网站))
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