商品型号：TPS1100DR品牌产地：TI生产批号：09+商品名称：场效应管封装规格：SOIC-8PDF资料：***描述产品：PDF单路P通道增强-模式MOSFET分类：分立半导体产品家庭：MOSFET的-单***的开（***大值）@标识，VGS电压：180mOhm@1.5A，10V的漏***源极电压（Vdss）：15V的栅极电荷（Qg）@VGS电压：10V的5.45nC@电流-连续漏极（编号）@25°C时：1.6A的场效应管极性：P沟道场效应管特点：逻辑电平门功率-***大：791mW安装类型：表面安装封装/外壳：采用SOIC-8)