技术参数脉冲发生器：电压范围：&plu***n;20.4V(&plu***n;102Vopt.)脉冲宽度：1µs-1000s电容测量：高频信号100mV@1MHz(20mV可选)电容范围[pF]3,30,30003000(自动或手动)灵敏度0.01fF电压测量：范围&plu***n;10V灵敏度<1µV温度范围：77K~450K电阻范围：0.1mOhm-10GOhm主要特点自动连线检测；自动电容补偿功能；瞬态电流测量；傅里叶转化功能；深能级瞬态谱分析；测量模式：C-DLTS（电容模式）CC-DLTS（定电容模式）I-DLTS（电流模式）DD-DLTS（双关联模式）Zerbst-DLTS（Zerbst模式）O-DLTS（光激发模式）FET-Analysis（FET分析）MOS-Analysis（MOS分析）ITS(等温瞬态谱)TrapprofilingCC***（俘获截面测量）I/V,I/V(T)（查理森Plot分析）C/V,C/V(T)TSC/TSCAPPITS(光子诱导瞬态谱)DLOS(特殊系统）仪器介绍欧洲高分辨深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段！测试功能：电容模式、定电容模式、电流模式、（双关联模式）、Zerbst模式、光激发模式、FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、Trapprofiling、俘获截面测量、I/V,I/V(T)查理森Plot分析、C/V,C/V(T)、TSC/TSCAP、光子诱导瞬态谱、DLOS；测试根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C~t）技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS谱，集成多种全自动的测量模式及***的数据分析，可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布。也可用于光伏太阳能电池领域中，分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位，确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。)