技术参数电流源:测量范围:1nA-10mA输出电压:+/-10V(+/-20V)输出电阻:typical1013Ohms电流分辨率:25pA电压测量：测量范围:10mV-10V（自动量程选择）分辨率:<500nV输入电阻:>1013Ohms磁场范围：0.45T~2T（牛津磁体）；电阻测量范围:1x10-3Ohm-1x109Ohm电阻率测量范围:1x10-5Ohm*cm-1x107Ohm*cm载流子浓度范围:107cm-3-1021cm-3主要特点电阻率Rho测量；霍尔系数RH测量；V-I曲线测量；VH电压测量；载流子浓度测量；载流子迁移率测量；载流子形式测量（norp）;磁电阻等；独有的非线性电压补偿功能；磁场大小可调；自动磁场校准；低温选件：77K；VanderPauw和桥式barshape测量；仪器介绍欧洲高性能霍尔效应测量系统，广泛应用于半导体材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究；可对多种重要物理参量如：电阻率、霍尔系数、载流子浓度、迁移率、磁电阻和V-I曲线等测量和分析；可测试材料:半导体材料：包括SiGe,SiC,InAs,InGaAs,InP,AlGaAs,andHgCdTe,砖石铁,氧体材料;低阻材料：包括金属、透明氧化物、稀磁半导体器件和TMR材料高阻材料：包括半导体绝缘材料、GaAs、GaN、CdTe和光电探测器)