主要特征：1、电流控制模式；2、内置高压MOSFET（>700v）；3、VDD输入范围为9～38v；4、集成了过压、欠压、过流、短路、过温等完整的保护方案；5、空载时芯片静态功耗小于100mW；6、自动重启动。)