产品特征：(1)N沟道增强型功率MOSFET管。(2)适合高频、超高频、射频电路的应用。(3)内置稳压二极管用于栅极、源极间ESD保护。(4)功率：1W。(5)VDSS:30V。6)VGSS:+10V。(7)***高使用频率:520MHZ。(8)V(th)开起电压：1-3V，典型值：1.8V。封装：SOT-89，盘装，３０００个／盘广泛用于发射***上，如遥控器，双向防盗器，电动遥控车，超远距离接收，对讲机等)