MOSFET/场效应管HC2312产品介绍：产品型号：HC2312取代型号：完全取代SI2312产品封装：SOT-23产品品牌：HC/浩畅是否环保：无铅环保***小包装：3000PCSN沟道增强型功率MOSFET漏极-源极电压（VDS）:20V漏极电流（ID）:4.9A漏源电流脉冲IDM:13.5A栅源电压（VGS）:&plu***n;12V结温（TJ）:150℃储存温度（TSTG）:-55~150℃耗散功率（PD）:1.25W栅源极开启电压VGS(th):0.5~1.2V栅源截至电流IGSS(F/R):&plu***n;100nA特点：●高功率和电流处理能力●无铅产品获得●表面贴装封装应用：●PWM应用●负荷开关●电源管理)