MOSFET/场效应管SI2309产品型号：SI2309产品封装：SOT-23产品品牌：HC/浩畅是否环保：无铅环保***小包装：3000PCSP沟道增强型功率MOSFET漏极-源极电压（VDS）:-60V漏极电流（ID）:-1..25A(VGS=-10V)***(ON)＜340mΩ(VGS=-10V)***(ON)＜550mΩ(VGS=-4.5V)漏源电流脉冲IDM:-8A栅源电压（VGS）:&plu***n;20V结温（TJ）:150℃储存温度（TSTG）:-55~150℃耗散功率（PD）:1.25W栅源极开启电压VGS(th):-1.0~-3.0V栅源截至电流IGSS(F/R):&plu***n;100nA特点：●高功率和电流处理能力●无铅产品获得●表面贴装封装应用：●PWM应用●负荷开关●电源管理)