600V晶体管IPL60R180P6制造商：InfineonTechnologies制造商零件编号：IPL60R180P6AUMA1描述：MOSFETN-CH600V4VSON对无铅要求的达标情况/对限制***物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制***物质指令(RoHS)规范要求湿气敏***等级（MSL）：2A（4周）详细描述：表面贴装N沟道pval(2068)22.4A（Tc）176W（Tc）PG-VSON-4规格FET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流-连续漏极（Id）（25°C时）22.4A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）10V不同Id，Vgs时的***On（***大值）180毫欧@9A，10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）4.5V@750µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）44nC@10VVgs（***大值）&plu***n;20V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）2080pF@100VFET功能-功率耗散（***大值）176W（Tc）工作温度-40°C~150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PG-VSON-4封装/外壳4-PowerTSFN欢迎与明佳达电子咨询更多产品信息。)