半导体型陶瓷电容器（SEMI-CONDUCTIVETYPE）1.特点及用途(FEATURES&APPLICATIONS)半导体型陶瓷电容器具有容量大，体积小等特点，适用于滤波、旁路、耦合等电路中。2.技术指标(SPECIFICATIONS)电容量(capacitance)0.01μF～0.22μF电容量允许偏差(capacitancetolerance)K(±10%),M(±20%),Z(+80%-20%)使用温度(operatingtemperature)-25℃～85℃温度特性（temperaturecharacteristic）Y5P,Y5U,Y5V额定电压(ratedvoltage)16VDC,25VDC,50VDC损耗角正切值(dissipationfactor)(tgδ)16V:tgδ≤7%25V,50V：tgδ≤3.5%（Y5P），tgδ≤5%（Y5U、Y5V）@1KHz,1±0.2Vrms,25℃绝缘电阻(insulationresistance)(IR)16V:IR≥100MΩor10MΩ·μF(whicheverissmaller)25V:IR≥250MΩor20MΩ·μF(whicheverissmaller)50V：IR≥1000MΩ耐电压（voltageproof）1.5Ur测试电压(testingvoltage)2timestheratedvoltage3.电容量与尺寸对照表额定电压产品尺寸温度特性引线尺寸（VDC）直径厚度Y5P（B）Y5U（E）Y5V（F）间距直径电容量范围素子尺寸电容量范围素子尺寸电容量范围素子尺寸165.54.0683～10453202.5±0.80.40±0.056.0683～10456205.0±1.00.45±0.056.562257.5124～15470208.5204～2248030254.0103～47338162.5±0.80.40±0.054.5153～22342255.033346256.04735625683～10456255.0±1.00.45±0.056.5683～10460257.5683～10470258.522480300.53±0.0511.010410330504.01033816153～22338262.5±0.80.40±0.054.5153～22342255.010346253334625133～47346256.0153～2235625473562568356255.0±1.00.45±0.057.5333702510470258.54738030683～104803015480300.53±0.059.5224903012.010411035电容量允许偏差±10%±20%+80/-20%，+50/-20%包装方式散装，编带4.Ⅱ、Ⅲ类瓷介电容器的通用特性（适用于DCT，DCS）代码由三个字组成，第一个字表示最低温度，第二个字表示最高温度，第三个表示在整个温度范围内相对于25℃的电容量读数的最大变化率。●Ⅱ、Ⅲ类温度特性表第一位字（表示最低温度）第二位字（表示最高温）第三位字（表示在整个温度范围内相对于25℃的电容量读数的最大变化率）X—55℃Y—30℃Z±10℃4+65℃5+85℃6+105℃7+125℃8+150℃A±1.0%B±1.5%C±2.2%D±3.3%E±4.7%F±7.5%P±10%R±15%S±22%T+22%-33%U+22%-56%V+22%-82%●常用温度特性代码对照表EIA代码/国际惯用代码NP0N150N220N470N750SLY5PY5UY5VGB代码CHPHRHTHUJSL2B42E42F4●温度特性和电容量允许偏差优先值表温度特性电容量允许偏差KMSZ（P）Y5P√×××Y5U×√××Y5V××√√)