感应耦合等离子体刻蚀的原理以下是创世威纳为您一起分享的内容，创世威纳***生产感应耦合等离子体刻蚀，欢迎新老客户莅临。感应耦合等离子体刻蚀法（InductivelyCoupledPla***aEtch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。感应耦合等离子体刻蚀机的结构一预真空室预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，不受外界环境（如：粉尘、水汽）的影响，将***性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。以上就是为大家介绍的全部内容，希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多感应耦合等离子体刻蚀的知识，欢迎拨打图片上的***联系我们。感应耦合等离子体刻蚀机的结构四真空系统真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。想了解更多关于感应耦合等离子体刻蚀的相关资讯，请持续关注本公司。)