碳化硅微粉中的铁杂质主要以单质铁及其氧化***铁的方式存在。由于单质铁及其三氧化铁均溶于***、、盐酸等，生成可溶性铁盐经过加水洗濯能够去除。用盐酸来处碳化硅微粉，经过比拟盐酸浓度及反响温度对除铁率的影响，终得到盐酸浓度在180g/L、反响温度为80℃除铁率高，此条件下除铁率能够到达93%左右。以***、盐酸、中的一种或者两种作为浸取液，实验结果标明：关于中值粒径在0.5μm左右的碳化硅微粉，用体积比为20%的盐酸与10%的混合酸，70℃的温度下保温3h,碳化硅微粉中的铁杂质去除率能够到达88%。随着不定形耐火材料技术的发展，硅微粉由于具有微米级粒径、无定形结构、活性高、球形结构等优点而大量应用于浇注料中。硅微粉的应用已成为低水泥和超低水泥浇注料体系中的关键技术?但由于硅微粉性能差异很大，其品质及加入量对浇注料的施工性能及理化指标影响显著，因此如何采用合理外加剂来提高低档次硅微粉性能以及找出硅微粉物理化学性质差异对浇注料性能影响十分必要。球形硅微粉，主要用于大规模和超大规模集成电路的封装上，根据集程度（每块集成电路标准元件的数量）确定是否球形硅微粉，当集程度为1M到4M时，已经部分使用球形粉，8M到16M集程度时，已经全部使用球形粉。250M集程度时，集成电路的线宽为0.25μm，当1G集程度时，集成电路的线宽已经小到0.18μm，目前计算机PⅣ处理器的CPU芯片，就达到了这样的水平。这时所用的球形粉为更的，主要使用多晶硅的下脚料制成正硅酸乙脂与四水解得到SiO2，也制成球形其颗粒度为-（10～20）μm可调。这种用化学法合成的球形硅微粉比用天然的石英原料制成的球形粉要贵10倍，其原因是这种粉基本没有性α射线污染，可做到0.02PPb以下的铀含量。当集程度大时，由于超大规模集成电路间的导线间距非常小，封装料性大时集成电路工作时会产生源误差，会使超大规模集成电路工作时可靠性受到影响，因而必须对性提出严格要求。而天然石英原料达到(0.2～0.4)PPb就为好的原料。现在国内使用的球形粉主要是天然原料制成的球形粉，并且也是进口粉。)