RD9003：RD9004：PEDOT/PSS导电液Poly（3,4ethylenedioxythiophene）/poly（styrenesulfonate）CAS:155090-83-8固体含量1.3~1.7%RD9001：3,4-乙烯二氧s吩EDOTCAS:126213-50-199%RD9002：聚b乙烯磺酸钠（PSS）Poly（sodium-p-styrenesulfonate）CAS:25704-18-1固体含量25%RD9003：聚b乙烯磺酸水溶液（PSS溶液）PolystyrenesulfonicacidCAS:28210-41-518%-20%水溶液RD9004：PEDOT/PSS导电液Poly（3,4ethylenedioxythiophene）/poly（styrenesulfonate）CAS:155090-83-8固体含量1.3~1.7%RD9005：2,2-联p啶-4,4-二甲酸2,2-Bipyridine-4,4-dicarboxylicacidCAS:6813-38-3RD9006：二草酸硼酸锂（LiBOB）Lithiumbis（oxalate）borateCAS:244761-29-399%RD9007：全甲j二茂铁BIS（PENTAMETHYLCYCLOPENTADIENYL）IRONCAS:12126-50-0RD9008：全甲j二茂铁六氟磷酸盐DecamethylferrocenehexafluorophosphateCAS:54182-44-4RD9009：对二甲B二聚体（N粉）CAS：1633-22-399%，RD9010：二氯对二甲B二聚体（C粉）CAS：28804-46-899.5%，RD9011：四氯对二甲B二聚体ParyleneD（D粉）CAS：30501-29-298%，RD9012：派瑞林F二聚体ParyleneF（F粉）CAS：1785-64-498%RD9013：N-乙烯基咔CN-VinylcarbazoleCAS：1484-13-598.5%RD9014：4,5-二氮芴-9-酮（DAFO）4,5-Diaza-9H-fluoren-9-oneCAS：50890-67-0DAFO可以替代DFO，99%，本发明公开了一种基于分子模板原理的PEDOT:PSS溶液及薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤1)配置五y化二钒和纯净水和EDOT单体的混合物，常温下搅拌，得到绿色溶液；2)与PSSH溶液混合，在混合溶液中加入碱(包括氢y化钾，氢y化钠，氢氧化钙，氢y化钡)，搅拌得到蓝色的混合液；但通过用一种水溶性的高分子电解质聚B乙烯磺酸(简称为PSS)掺杂解决了它的加工性问题。3)将得到的混合液经过离子交换树脂处理去除离子，并离心处理不溶物，得到PEDOT:PSS分散液；4)分散液的甩膜：将样品分散液和经过清洗除残处理后的玻璃基片，通过匀胶机处理，得到均匀覆盖样品分散液的玻璃基片；5)透明电极热处理：将制作好的玻璃基片，通过恒温加热处理后，自然冷却至室温得到透明电极。聚3,4-乙烯二氧***吩(PEDOT)由拜尔(BayerAG)科学家于1988年在专利中提出，人们发现其具有稳定的掺杂态结构，因而具有优异的环境稳定的导电性。目前PEDOT成膜方法主要有物理涂覆法、电化学聚合法和原位聚合法：物理涂敷法物理涂覆法是将PEDOT分散液，通过刮涂、滴涂、旋涂等方式，涂覆在基材表面，经干燥后形成PEDOT薄膜。同时，人们发展了PEDOT:PSS(聚磺酸)溶胶体系来实现PEDOT材料的水系储存以及加工，结合PEDOT的其他多种化学合成以及原位合成方法，这使得其被广泛应用在储能、柔性电子学、光电转换器件等应用中。PEDOT：PSS广泛用于钙钛矿太阳能电池（PSC），是的空穴传输层（HTL）。然而，与传统的平面PSC（压区）相比，基于PEDOT：PSSHTL的反向平面PSC通常表现出高达200mV的电压损耗。SEM，AFM和XPS测量表明，CsI通过与PbI2反应形成CsPbI3来改变PEDOT：PSS和钙钛矿之间的界面，从而促进界面接触和电荷传输。在CsI-修饰（CsI-PEDOT：PSS）之后，PEDOT：PSS的空穴传输性质和空穴提取得到增强，而能级更有利并且电荷复合得到***。与原始PEDOT：PSS相比，它遭受大的非辐射复合损耗（0.375V），CsI-PEDOT：PSS使器件实现了令人印象深刻的低非辐射电压损耗（仅0.287V）。使用CsI-PEDOT：PSS的反向PSC显示出小的电压损失并实现高VOC（1.084V），的功率转换效率（PCE）为20.22％，并且没有滞后现象，而没有CsI的参考组显示效率仅为16.57％。)