三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；8环境要求环境温度：15～35℃相对湿度：小于70%大气压力：86Kpa～106Kpa压缩空气：不小于0。C：脉冲宽度50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOSIGBT内部二极管压降J:一次测试IGBT全部静态参数K:生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；华科智源IGBT测试仪针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V,1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；2.4短路技术条件1、Vcc：200～1000V200～1000V±3%±2V2、一次短路电流：20000A500～1000A±3%±2A1000A～5000A±2%±5A5000A～20000A±2%±10A3、tp：5-30us2.5雪崩技术条件1、Vce：50～500V±3%±5V500～1000V±3%±5V2、Ic：1A～50A1A～9.9A±3%±50mA10A～50A±3%±1A3、EA：10mJ～20J10mJ～1000mJ±3%±1mJ1J～20J±3%±10mJ4、脉冲宽度：40—1000uS可设定5、测试频率：单次2.6NTC测试技术条件阻值测量范围：0～20KΩ)