可控硅模块(semiconductormodule)可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductormodule）。早是在1970年由西门康公司将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。可控硅主要技术参数:1、额定通态电流也是*大稳定工作电流可控硅主要技术参数：1、额定通态电流也就是*大稳定工作电流，俗称电流，常用可控硅的额定通态电流一般为一安到几十安。2、反向重复峰值电压（VRRM）或者断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压，常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。3、控制极触发电流（IGT），俗称触发电流，常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。4、额定正向平均电流。也就是在规定温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。可控硅模块的防护措施可控硅模块的防护措施：一、过电流保护措施。可控硅模块过电流的主要原因是过载、短路和误触发，常见的过电流保护有以下三种：1、过电流继电器。在电流超过过电流继电器的整定值时，过电流继电器就会动作，切断保护电路，但是由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所以，只能用作可控硅的过载保护。2、过载截止保护。利用过电流的信号将可控硅的触发信号后移，或者使得可控硅模块的导通角减小，或者干脆停止触发保护可控硅。3、快速熔断器。快速熔断器中的熔丝是银质的，只要选择得当，在同样的过电流倍数下，就可以在可控硅损坏前先熔断，从而保护了晶闸管。可控硅模块的防护措施:过电压保护过电压保护。过电压可能会导致可控硅模块击穿，主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或者可控硅在导通与截止间的转换，对过电压保护可采取以下两种保护措施：1、阻容保护。阻容保护是电阻和电容串联后，接在可控硅电路中的一种过电压保护方式，其实质就是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使得耗能元件的特性，将过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻将这部分能量消耗掉。2、硒堆保护。可以说，可控硅模块在弱点面前，还是比较容易损坏的，用户一定要注意做好以上保护措施。)