刻蚀工艺过程以下内容由创世威纳为您提供，今天我们来分享刻蚀工艺过程的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。分离：气体由等离子体分离为可化学反应的元素；扩散：这些元素扩散并吸附到硅片表面；表面扩散：到达表面后，四处移动；反应：与硅片表面的膜发生反应；解吸：反应的生成物解吸，离开硅片表面；排放：排放出反应腔。离子束刻蚀机表面抛光离子束能完成机械加工中的后一道工序一-精抛光，以消除机械加工所产生的刻痕和表面应力。加工时只要严格选择溅射参数(入射离子能量、离子质量、离子入射角、样品表面温度等)，光学零件就可以获得较佳的表面质量，且散射光较小。离子束拋光激光棒和光学元件的表面，表面可以达到较高的均匀和一致性，而且元件本身在工艺过程中也不会被污染。离子束刻蚀利用低能量平行Ar离子束对基片表面进行轰击，表面上未被掩膜覆盖部分的材料被溅射出，从而达到选择刻蚀的目的，它采用纯物理的刻蚀原理。离子束刻蚀是目前所有刻蚀方法中分辨率较高，陡真性较好的方法，它可以对所有材料进行刻蚀，例如：金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。想了解更多产品信息您可拨打图片上的电话进行咨询！)