1.1设备数量1套*1.2设备功能测试功率半导体器件静态参数*1.3设备组成设备包含硬件模块和软件模块两大部分*1.4硬件模块设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等*1.5软件模块设备软件部分应包括：1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；2.图形化操作界面；中/英文操作系统3.输出EXCEL、wor测试报告*4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度*5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格；*6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比；（3）设备的功能特点1）各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。2、设备尺寸2.1设备总体长度≤700mm2.2设备总体宽度≤600mm2.3设备总体高度≤500mm3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V,1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；9A±3%±50mA10A～50A±3%±1A3、EA：10mJ～20J10mJ～1000mJ±3%±1mJ1J～20J±3%±10mJ4、脉冲宽度：40—1000uS可设定5、测试频率：单次2。50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。1.2测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW3.1开通时间Ton测试原理框图图3-1开通时间测试原理框图其中：Vcc试验电压源±VGG栅极电压C1箝位电容Q1陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）L负载电感：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC集电极电流取样电流传感器DUT被测器件开通时间定义（见下图）：栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td（on），集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr，则ton=td（on）tr)