与传统式金属封装材料对比，他们关键有下列优势：①能够根据改变提高体的类型、体积分数、排序方法或改变常规铝合金，改变材料的热工艺性能，考虑封装热失配的规定，乃至简单化封装的设计方案;②材料生产制造灵便，价钱持续减少，非常是可立即成型，防止了价格昂贵的生产加工花费和生产加工导致的材料耗损；尽管设计师能够选用相近铜的方法处理这个问题，但铜、铝与集成ic、基钢板比较严重的热失配，给封装的热设计产生挺大艰难，危害了他们的普遍应用。1．2钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3十分配对，它的导热系数非常高，为138W(m-K-1)，所以做为气密性封装的基座与可伐的腋角电焊焊接在一起，用在许多中、高功率的金属封装中Cu／W和Cu／Mo以便减少Cu的CTE，能够将铜与CTE标值较小的化学物质如Mo、W等复合型，获得Cu／W及Cu／Mo金属材料-金属材料复合型材料。这种材料具备高的导电性、传热性能，另外结合W、Mo的低CTE、高韧性特点。Cu／W及Cu／Mo的CTE能够依据组元相对性成分的转变开展调节，能够用作封装基座、热沉，还能够用作散热器。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。一种金属封装外壳密封结构，其包括金属围框和氧化锆陶瓷导管插芯，所述金属围框的其中一侧面上设有导管孔，所述金属围框的外侧面设有金属环，所述金属环的一端钎焊于所述导管孔所在侧面的外侧，所述氧化锆陶瓷导管插芯贯穿所述金属环至所述导管孔，所述氧化锆陶瓷导管插芯与所述金属环另一端之间采用高温玻璃密封封接，其中，所述金属环的线膨胀系数大于氧化锆陶瓷的膨胀系数。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等铜、铝纯铜也称之为无氧高导铜(OFHC)，电阻率1．72μΩ·cm，仅次于银。BallGridArray球脚数组(封装)是一种大型组件的引脚封装方式，与QFP的四面引脚相似，都是利用***T锡膏焊接与电路板相连。其不同处是罗列在四周的一度空间单排式引脚，如鸥翼形伸脚、平伸脚、或缩回腹底的J型脚等；由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题。改变成腹底数组或局部数组，采行二度空间面积性的焊锡球脚分布，做为芯片封装体对电路板的焊接互连工具。)