NR9-3000PYNR76000P光刻胶公司三、光刻胶涂覆（PhotoresistCoating）光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前，先在900-1100度湿氧化。8刻蚀就是将涂胶前所垫基的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分进行腐蚀掉，达到将光刻胶上的图形转移到下层材料的目的。氧化层可以作为湿法刻蚀或B注入的膜版。作为光刻工艺自身的首先过程，一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物，即通常所说的光刻胶，要涂在样品表面(SiO2)。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面，(由真空负压将样品固定在样品台上)，样品然后高速旋转，转速由胶粘度和希望胶厚度确定。在这样的高速下，胶在离心力的作用下向边缘流动。涂胶工序是图形转换工艺中初的也是重要的步骤。涂胶的质量直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了保证线宽的重复性和接下去的显影时间，同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm(对于1.5um胶厚为±0.3%)。光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。国外研究机构预测，PCB市场年复合增长率可达3%，到2020年，PCB***市场规模将达到610亿美元。太厚胶会导致边缘覆盖或连通、小丘或田亘状胶貌、使成品率下降。在MEMS中、胶厚(烤后)在0.5-2um之间，而对于特殊微结构制造，胶厚度有时希望1cm量级。在后者，旋转涂胶将被铸胶或等离子体胶聚合等方法取代。常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等，这些因素的稳定性很重要。在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着VLSIIC和2～5微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。用正胶需要改变掩膜版的极性，这并不是简单的图形翻转。正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶良好的接触。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商***核心的技术。烘干：去除衬底表面的水汽，使其彻底干燥，增粘处理(涂底)：涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，HMDS，光刻胶疏水，Sio2空气中，Si-OH,表面有，亲水性，使用HMDS（H2C）6Si2NH涂覆，熏蒸与SI–OH结合形成Si-O-Si(CH2)2，与光刻胶相亲。光刻胶PCB光刻胶主要分为干膜光刻胶、湿膜光刻胶（又称为抗蚀刻/线路油墨）、光成像阻焊油墨等。PCB光刻胶技术壁垒相对较低，主要是中低端产品。LCD包含彩色滤光片用彩色光刻胶及黑色光刻胶、LCD触摸屏用光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶等产品。彩色滤光片是LCD实现彩色显示的关键器件，占面板成本的14%~16%；在彩色滤光片中，彩色光刻胶和黑色光刻胶是核心材料，占其成本的27%左右，其中黑色光刻胶占彩色滤光片材料成本的6%~8%。半导体光刻胶包括g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶、聚酰YA光刻胶、掩膜板光刻胶等。)