刻蚀工艺过程以下内容由创世威纳为您提供，今天我们来分享刻蚀工艺过程的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。分离：气体由等离子体分离为可化学反应的元素；扩散：这些元素扩散并吸附到硅片表面；表面扩散：到达表面后，四处移动；反应：与硅片表面的膜发生反应；解吸：反应的生成物解吸，离开硅片表面；排放：排放出反应腔。离子束刻蚀机石英晶体谐振器制作石英晶体的谐振频率与其厚度有关。用机械研磨和抛光致薄的晶体，可制作低频器件，但频率超过20MHz时，上述工艺已不适用因为极薄的晶片已不能承受机械应力。采用离子束抛光，可以不受此限制。石英晶体谐振器的金属引线要求重量轻、低电阻，通常用铝沉积在晶体表面沟槽中，以高电导率铝作引线电极。用离子束溅射加工晶体_上的沟槽是有效的方法。离子束刻蚀利用低能量平行Ar离子束对基片表面进行轰击，表面上未被掩膜覆盖部分的材料被溅射出，从而达到选择刻蚀的目的，它采用纯物理的刻蚀原理。离子束刻蚀是目前所有刻蚀方法中分辨率较高，陡真性较好的方法，它可以对所有材料进行刻蚀，例如：金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。想了解更多产品信息您可拨打图片上的电话进行咨询！)